NF C96-008

NF C96-008

septembre 1985
Norme Annulée

Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Huitième partie : transistors à effet de champ.

Cette norme constitue la huitième partie d'une norme générale pour les dispositifs à semiconducteurs. Elle définit la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure applicables aux transistors à effet de champ. Elle doit être utilisée en relation avec la norme NF C 96-001 : Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - 1ère partie : Généralités (juillet 1984), qui est la reproduction de la publication 747-1 de la CEI.

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Informations complémentaires
DOIT ETRE UTILISEE EN RELATION AVEC LA NORME NF C 96-001
Informations générales

Collections

Normes nationales et documents normatifs nationaux

Date de publication

septembre 1985

Nombre de pages

44 p.

Référence

NF C96-008

Codes ICS

31.080.30   Transistors

Indice de classement

C96-008

Numéro de tirage

1 - 01/10/1985

Parenté internationale

IEC 60747-8:1984
Résumé
Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Huitième partie : transistors à effet de champ.

Cette norme constitue la huitième partie d'une norme générale pour les dispositifs à semiconducteurs. Elle définit la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure applicables aux transistors à effet de champ. Elle doit être utilisée en relation avec la norme NF C 96-001 : Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - 1ère partie : Généralités (juillet 1984), qui est la reproduction de la publication 747-1 de la CEI.
Sommaire
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  • CHAPITRE I : GÉNÉRALITÉS
  • 1. Note d'introduction
    3
  • 2. Domaine d'application
    3
  • 3. Classification
    3
  • CHAPITRE II : TERMINOLOGIE ET SYMBOLES LITTÉRAUX
  • 1. Types de transistors à effet de champ
    4
  • 2. Termes généraux
    4
  • 3. Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques
    5
  • 4. Symboles littéraux
    6
  • CHAPITRE III : VALEURS LIMITES ET CARACTÉRISTIQUES ESSENTIELLES
  • 1. Généralités
    12
  • 1.1 Catégories de dispositifs
    12
  • 1.2 Dispositifs à grilles multiples
    12
  • 1.3 Précautions de manipulation
    12
  • 2. Valeurs limites
    12
  • 2.1 Températures
    12
  • 2.2 Dissipation de puissance
    12
  • 2.3 Tensions et courants
    12
  • 2.4 Données mécaniques
    13
  • 3. Caractéristiques
    13
  • 3.1 Caractéristiques pour applications en amplificateur basse fréquence
    13
  • 3.2 Caractéristiques pour applications en amplificateur haute fréquence
    15
  • 3.3 Caractéristiques pour applications en commutation
    16
  • 3.4 Caractéristiques pour applications en découpeur
    18
  • 3.5 Caractéristiques pour applications en amplificateur à courant continu à faible niveau
    20
  • 3.6 Caractéristiques pour applications en résistance commandée par la tension
    21
  • 3.7 Caractéristiques spécifiques des transistors à effet de champ appariés pour applications différentielles en
  • basse fréquence
    22
  • 4. Données d'applications
    23
  • CHAPITRE IV: MÉTHODES DE MESURE
  • 1. Généralités
    24
  • 1.1 Polarité
    24
  • 1.2 Précautions générales
    24
  • 1.3 Précautions de manipulation
    24
  • 1.4 Catégories pour les différents types
    24
  • 2. Courant résiduel de grille ou courant de fuite de grille
    24
  • 3. Courant de drain (types A, B et C)
    26
  • 4. Courant de drain au blocage (types A, B et C)
    27
  • 5. Tension grille-source de blocage (types A et B)
    27
  • 6. Tension de seuil grille-source (type C)
    28
  • 7. Capacité d'entrée, sortie en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)
    28
  • 8. Conductance de sortie, entrée en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)
    30
  • 9. Capacité de sortie, entrée en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)
    32
  • 10. Transconductance directe, sortie en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)
    33
  • 11. Capacité de réaction, entrée en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)
    36
  • 12. Bruit (types A, B et C)
    38
  • 13. Paramètres y (types A, B et C)
    40
  • 14. Temps de commutation (types A, B et C)
    40
  • 15. Résistance statique drain-source à l'état passant ou tension drain-source à l'état passant et résistance à l'état bloqué
    42
  • 16. Résistance drain-source à l'état passant (en petits signaux)
    43
  • 17. Paramètress
    44
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