Le présent document a pour objet de décrire un essai d'irradiation aux neutrons qui est réalisé pour déterminer la sensibilité des dispositifs à semiconducteurs à la dégradation par perte d'énergie non ionisante (NIEL, Non-Ionizing Energy Loss) . L'essai décrit dans le présent document s'applique aux circuits intégrés et aux dispositifs discrets à semiconducteurs, et est destiné aux applications des domaines militaire et aérospatial. Il s'agit d'un essai destructif.
L'essai d'irradiation aux neutrons est réalisé pour déterminer la sensibilité à la dégradation des dispositifs à semiconducteurs placés dans un environnement de neutrons. Les essais décrits dans ce document sont applicables aux circuits intégrés et aux dispositifs à semiconducteurs. Cet essai est destiné aux applications des domaines militaire et spatial. Il s'agit d'un essai destructif.
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