NF ISO 17560
Analyse chimique des surfaces - Spectrométrie de masse des ions secondaires - Dosage du bore dans le silicium par profilage d'épaisseur
L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.
L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.
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1 Domaine d'application1
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2 Référence normative1
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3 Symboles et termes abrégés1
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4 Principe2
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5 Matériaux de référence2
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6 Appareillage2
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7 Échantillon3
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8 Modes opératoires3
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9 Expression des résultats6
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10 Rapport d'essai7
- Annexe
- Bibliographie10
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