NF ISO 23812
Analyse chimique des surfaces - Spectrométrie de masse des ions secondaires - Méthode pour l'étalonnage de la profondeur pour le silicium à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples
Le présent document spécifie une méthode d'étalonnage de la profondeur pour le silicium, à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples. Ce mode opératoire permet l'étalonnage de l'échelle de profondeur dans une région de faible profondeur, inférieure à 50 nm, lors du profilage en profondeur SIMS. Le présent document s'applique au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe. Il ne s'applique pas au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe.
Le présent document spécifie une méthode d'étalonnage de la profondeur pour le silicium, à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples. Ce mode opératoire permet l'étalonnage de l'échelle de profondeur dans une région de faible profondeur, inférieure à 50 nm, lors du profilage en profondeur SIMS. Le présent document s'applique au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe. Il ne s'applique pas au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe.
- Avant-proposiv
- Introductionv
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1 Domaine d'application1
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2 Références normatives1
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3 Termes et définitions1
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4 Symboles et termes abrégés1
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5 Exigences relatives aux matériaux de référence à couches delta multiples3
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6 Modes opératoires de mesurage3
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7 Modes opératoires d'étalonnage4
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7.1 Principe d'étalonnage4
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7.2 Détermination de la vitesse de pulvérisation pour un matériau de référence5
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7.3 Étalonnage de l'échelle de profondeur pour un échantillon pour essai7
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7.4 Incertitude de la profondeur étalonnée8
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8 Expression des résultats9
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8.1 Étalonnage dans les mêmes conditions de pulvérisation que le matériau de référence9
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8.2 Étalonnage utilisant une vitesse de pulvérisation différente de celle utilisée pour l'échantillon pour essai9
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8.3 Étalonnage de la concentration9
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9 Rapport d'essai9
- Annexe A (informative) Parcours projeté de l'ion d'oxygène dans le silicium10
- Annexe B (informative) Estimations des décalages de pic dus au mixage d'atomes11
- Annexe C (informative) Estimations du décalage de pic dû à la coalescence du pic14
- Annexe D (informative) Dérivation de l'incertitude17
- Bibliographie19
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