XP ISO/TS 10867
Nanotechnologies - Caractérisation de nanotubes de carbone monofeuillet en utilisant la spectroscopie de photoluminescence dans le proche infra-rouge
L'ISO/TS 10867:2010 fournit des lignes directrices pour la caractérisation des nanotubes de carbone mono feuillet (SWCNTs) en utilisant la spectroscopie de photoluminescence (PL) dans le proche infrarouge (NIR). L'ISO/TS 10867:2010 fournit une méthode pour la détermination des indices chiraux et la mesure des intensités intégrées relatives des pics de PL des SWCNTs semi-conducteurs présents dans un échantillon. La méthode peut être étendue pour estimer les concentrations massiques relatives des SWCNT semi‑conducteurs présents dans un échantillon à partir des valeurs mesurées des intensités intégrées des pics de PL et de la connaissance de leur section efficace de photoluminescence.
L'ISO/TS 10867:2010 fournit des lignes directrices pour la caractérisation des nanotubes de carbone mono feuillet (SWCNTs) en utilisant la spectroscopie de photoluminescence (PL) dans le proche infrarouge (NIR).
L'ISO/TS 10867:2010 fournit une méthode pour la détermination des indices chiraux et la mesure des intensités intégrées relatives des pics de PL des SWCNTs semi-conducteurs présents dans un échantillon.
La méthode peut être étendue pour estimer les concentrations massiques relatives des SWCNT semi‑conducteurs présents dans un échantillon à partir des valeurs mesurées des intensités intégrées des pics de PL et de la connaissance de leur section efficace de photoluminescence.
<p>Le présent document fournit des lignes directrices pour la caractérisation des nanotubes de carbone monofeuillet (SWCNT) en utilisant la spectroscopie de photoluminescence (PL) dans le proche infrarouge (NIR).</p> <p>Il fournit une méthode pour la détermination des indices chiraux des SWCNT semi-conducteurs présents dans un échantillon et la mesure des intensités intégrées relatives des pics de PL.</p> <p>La méthode peut être étendue pour estimer les concentrations massiques relatives des SWCNT semi-conducteurs présents dans un échantillon à partir des valeurs mesurées des intensités intégrées des pics de PL et de la connaissance de leur section efficace de PL.</p>
- Avant-proposiv
- Introductionv
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1 Domaine d'application1
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2 Références normatives1
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3 Termes et définitions1
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4 Principes de la photoluminescence dans les nanotubes de carbone mono feuillet (SWCNT)2
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4.1 Structure des SWCNT2
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4.2 Structure de bande et pics de photoluminescence (PL)3
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4.3 Effets des excitons5
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5 Appareillage pour la spectroscopie de photoluminescence dans le proche infrarouge (NIR-PL)5
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5.1 Spectromètre NIR-PL5
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5.2 Source lumineuse5
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6 Méthodes de préparation des échantillons6
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6.1 Préparation pour la mesure d'une dispersion de SWCNT dans D206
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6.2 Préparation pour la mesure d'un film solide à partir d'une dispersion de SWCNT6
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7 Modes opératoires de mesure7
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8 Analyse des données et interprétation des résultats7
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8.1 Règles empiriques pour la détermination de la structure7
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8.2 Détermination des indices chiraux des SWCNT semi-conducteurs présents dans un échantillon8
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9 Incertitudes9
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10 Rapport d'essai9
- Annexe A (informative) Études de cas10
- Bibliographie17
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