IEC 60747-4:2007

IEC 60747-4:2007

août 2007
Norme internationale En vigueur

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences

Donne les exigences pour les catégories suivantes de dispositifs discrets: diodes à capacité variable et diodes à retour rapide, diodes mélangeuses et diodes détectrices, diodes à avalanche, diodes à effet gunn, transistors bipolaires et transistors à effet de champ. Cette deuxième édition annule et remplace la première édition, publiée en 1991, et ses amendements 1, 2 et 3 (1993, 1999 et 2001, respectivement) dont elle constitue une révision technique.

Informations générales

Collections

Normes internationales IEC

Date de publication

août 2007

Nombre de pages

276 p.

Référence

IEC 60747-4:2007

Numéro de tirage

2 - 26/09/2007
Résumé
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences

Donne les exigences pour les catégories suivantes de dispositifs discrets: diodes à capacité variable et diodes à retour rapide, diodes mélangeuses et diodes détectrices, diodes à avalanche, diodes à effet gunn, transistors bipolaires et transistors à effet de champ. Cette deuxième édition annule et remplace la première édition, publiée en 1991, et ses amendements 1, 2 et 3 (1993, 1999 et 2001, respectivement) dont elle constitue une révision technique.
Normes remplacées (3)
Norme internationale Annulée
Amendment 2 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

Norme internationale Annulée
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Quatrième partie: Diodes et transistors hyperfréquences

IEC 60747-4:1991
mai 1991
Norme internationale Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Quatrième partie: Diodes et transistors hyperfréquences

Donne les normes pour les catégories suivantes de dispositifs discrets: diodes à capacité variable et diodes à retour rapide, diodes mélangeuses et diodes détectrices, diodes à avalanche, diodes à effet gunn, transistors bipolaires et transistors à effet de champ.

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