IEC 60747-9:2019
Collections
Normes internationales IEC
Date de publication
novembre 2019
Nombre de pages
160 p.
Référence
IEC 60747-9:2019
IEC 60747-9:2019
novembre 2019
Norme internationale
En vigueur
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 9: Dispositifs discrets - Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
L?IEC 60747-9:2019 ED3 spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs assignées et caractéristiques essentielles, la vérification des valeurs assignées ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT, insulated-gate bipolar transistors).Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l?édition précédente: ajout de transistor bipolaire à grille isolée bloqué en inverse et du contenu technique associé; ajout de transistor bipolaire à grille isolée passant en inverse et du contenu technique associé; modification, combinaison ou suppression de certaines parties de l?édition précédente.
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Résumé
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 9: Dispositifs discrets - Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
L?IEC 60747-9:2019 ED3 spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs assignées et caractéristiques essentielles, la vérification des valeurs assignées ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT, insulated-gate bipolar transistors).
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l?édition précédente:
L?IEC 60747-9:2019 ED3 spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs assignées et caractéristiques essentielles, la vérification des valeurs assignées ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT, insulated-gate bipolar transistors).
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l?édition précédente:
- ajout de transistor bipolaire à grille isolée bloqué en inverse et du contenu technique associé;
- ajout de transistor bipolaire à grille isolée passant en inverse et du contenu technique associé;
- modification, combinaison ou suppression de certaines parties de l?édition précédente.
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Normes remplacées
(1)
IEC 60747-9:2007
septembre 2007
Norme internationale
Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
La présente partie de la CEI 60747 spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles, la vérification des valeurs limites ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT, insulated-gate bipolar transistors). Les modifications principales par rapport à l'édition précédente sont principalement de nature éditoriale.
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