Etablit une procédure normalisée pour les essais et laclassification des dispositifs à semiconducteurs en fonction de leu sensibilité aux dommagesou de leur dégradation suite à leur exposition à des déchargesélectrostatiques (DES) sur un modèle decorps humain (HBM). Le but de cette norme est de fournir des résultats d essai de DES HBM fiables et reproductibles de manière que des classifications précises puissent être réalisées. Cette méthode d essai est applicable à tous lesdispositifs à semiconducteurs et elle est classée destructive
Etablit une procédure normalisée pour les essais et la classification des dispositifs à semiconducteurs en fonction de leur sensibilité aux dommages ou de leur dégradation suite à leur exposition à des décharges électrostatiques sur un modèle de corps humain. Le but de cette norme est de fournir des résultats d'essai fiables et reproductibles de manière que des classifications précises puissent être réalisées. Les essais doivent être choisis entre cette méthode d'essai ou celle du modèle de machine (voir CEI 60749-27).
La CEI 60749-26:2013 établit une procédure pour les essais, l'évaluation et la classification des composants et des microcircuits en fonction de leur susceptibilité (sensibilité) aux dommages ou de leur dégradation suite à leur exposition à des décharges électrostatiques (DES) sur un modèle de corps humain (HBM) défini. Le but (objectif) de cette norme est de déterminer une méthode d'essai permettant de reproduire les défaillances du HBM et de fournir des résultats d'essais de DES de HBM fiables et reproductibles d'un appareil d'essai à un autre, sans tenir compte du type de composant. Des données reproductibles autoriseront des classifications et des comparaisons précises des niveaux de sensibilité de DES de HBM. Les essais de DES des dispositifs à semiconducteurs sont choisis entre la présente méthode d'essai, celle du modèle de machine (MM) (voir CEI 60749-27) ou toute autre méthode d'essai de la série CEI 60749. Les méthodes d'essai HBM et MM produisent des résultats similaires mais non identiques; sauf indication contraire, la présente méthode d'essai est celle qui prévaut. Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente: a) les descriptions de l'oscilloscope et des transducteurs de courant ont été améliorées et mises à jour; b) le schéma de circuit et la description du HBM ont été améliorés; c) la description de la qualification et de la vérification du matériel d'essai de contrainte a été entièrement réécrite; d) la qualification et la vérification des cartes de montage d'essai ont été révisées; e) une nouvelle section concernant la détermination de l'oscillation de la forme d'onde de courant a été ajoutée; f) certaines variantes de combinaisons de broches ont été incluses; g) autorisation de contrainte pour les broches n'assurant pas l'alimentation jusqu'à un nombre limité de groupes de broches d'alimentation (broches associées n'assurant pas l'alimentation) et autorisation de limiter les contraintes entre broches n'assurant pas l'alimentation et broches n'assurant pas l'alimentation (c'est-à-dire, E/S vers E/S) à un nombre fini de 2 paires de broches (paires de broches couplées n'assurant pas l'alimentation); - h) autorisation explicite de contrainte de HBM utilisant des appareils d'essai de HBM à 2 broches pour puce seulement pour des groupes d'alimentations court-circuitées.
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