IEC 60749-34:2010
Collections
Normes internationales IEC
Date de publication
octobre 2010
Nombre de pages
21 p.
Référence
IEC 60749-34:2010
IEC 60749-34:2010
octobre 2010
Norme internationale
En vigueur
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Part 34: Cycles en puissance
La CEI 60749-34:2010 décrit une méthode d'essai utilisée pour déterminer la résistance d'un dispositif à semiconducteurs aux contraintes thermiques et mécaniques du fait de la dissipation de puissance de la puce à semiconducteur interne et des connecteurs internes. Cela se produit lorsque des polarisations de fonctionnement à basse tension pour la conduction avant (courants de charge) sont périodiquement appliquées et enlevées en causant des variations rapides de température. L'essai de cycles de puissance est destiné à simuler des applications types en électronique de puissance, et est complémentaire à la durée de vie en fonctionnement à haute température (voir CEI 60749-23). L'exposition à cet essai peut ne pas induire les mêmes mécanismes de défaillances que l'exposition aux cycles de température de l'air-air ou à un changement rapide de température utilisant la méthode du bain à deux fluides. Cet essai provoque une usure et est considéré comme destructif. Cette seconde édition annule et remplace la première édition parue en 2004 et constitue une révision technique. Les modifications importantes par rapport à l'édition antérieure comprennent:- la spécification des conditions serrées pour des cycles en puissances plus accélérés dans le mode de fatigue de soudure de fil;- des informations indiquant que dans des conditions d'itérations de puissance sévères, des densités de courant élevées dans une métallisation en couche mince de la puce peuvent déclencher des effets d'électromigration à proximité des fils de connexion.
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Résumé
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Part 34: Cycles en puissance
La CEI 60749-34:2010 décrit une méthode d'essai utilisée pour déterminer la résistance d'un dispositif à semiconducteurs aux contraintes thermiques et mécaniques du fait de la dissipation de puissance de la puce à semiconducteur interne et des connecteurs internes. Cela se produit lorsque des polarisations de fonctionnement à basse tension pour la conduction avant (courants de charge) sont périodiquement appliquées et enlevées en causant des variations rapides de température. L'essai de cycles de puissance est destiné à simuler des applications types en électronique de puissance, et est complémentaire à la durée de vie en fonctionnement à haute température (voir CEI 60749-23). L'exposition à cet essai peut ne pas induire les mêmes mécanismes de défaillances que l'exposition aux cycles de température de l'air-air ou à un changement rapide de température utilisant la méthode du bain à deux fluides. Cet essai provoque une usure et est considéré comme destructif. Cette seconde édition annule et remplace la première édition parue en 2004 et constitue une révision technique. Les modifications importantes par rapport à l'édition antérieure comprennent:
- la spécification des conditions serrées pour des cycles en puissances plus accélérés dans le mode de fatigue de soudure de fil;
- des informations indiquant que dans des conditions d'itérations de puissance sévères, des densités de courant élevées dans une métallisation en couche mince de la puce peuvent déclencher des effets d'électromigration à proximité des fils de connexion.
La CEI 60749-34:2010 décrit une méthode d'essai utilisée pour déterminer la résistance d'un dispositif à semiconducteurs aux contraintes thermiques et mécaniques du fait de la dissipation de puissance de la puce à semiconducteur interne et des connecteurs internes. Cela se produit lorsque des polarisations de fonctionnement à basse tension pour la conduction avant (courants de charge) sont périodiquement appliquées et enlevées en causant des variations rapides de température. L'essai de cycles de puissance est destiné à simuler des applications types en électronique de puissance, et est complémentaire à la durée de vie en fonctionnement à haute température (voir CEI 60749-23). L'exposition à cet essai peut ne pas induire les mêmes mécanismes de défaillances que l'exposition aux cycles de température de l'air-air ou à un changement rapide de température utilisant la méthode du bain à deux fluides. Cet essai provoque une usure et est considéré comme destructif. Cette seconde édition annule et remplace la première édition parue en 2004 et constitue une révision technique. Les modifications importantes par rapport à l'édition antérieure comprennent:
- la spécification des conditions serrées pour des cycles en puissances plus accélérés dans le mode de fatigue de soudure de fil;
- des informations indiquant que dans des conditions d'itérations de puissance sévères, des densités de courant élevées dans une métallisation en couche mince de la puce peuvent déclencher des effets d'électromigration à proximité des fils de connexion.
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Normes remplacées
(1)
IEC 60749-34:2004
mars 2004
Norme internationale
Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 34: Cycles en puissance
Utilisé pour déterminer la résistance d'un dispositif à semiconducteurs aux contraintes thermiques et mécaniques du fait de la dissipation de puissance de la puce à semiconducteur interne et des connecteurs internes. Ceci se produit lorsque des polarisations de fonctionnement à basse tension pour la conduction avant (courants de charge) sont périodiquement appliquées et enlevées en causant des variations rapides de température. L'essai de cycles de puissance est destiné à simuler des applications types en électronique de puissance, et est complémentaire à la durée de vie en fonctionnement à haute température.
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