Aims at determining the ability of a device to withstand alternate exposures at high and low temperature extremes with operating biases periodically applied and removed. It is intended to simulate worst case conditions encountered in typical applications and considered destructive.
Utilisé pour déterminer la résistance d'un dispositif à semiconducteurs aux contraintes thermiques et mécaniques du fait de la dissipation de puissance de la puce à semiconducteur interne et des connecteurs internes. Ceci se produit lorsque des polarisations de fonctionnement à basse tension pour la conduction avant (courants de charge) sont périodiquement appliquées et enlevées en causant des variations rapides de température. L'essai de cycles de puissance est destiné à simuler des applications types en électronique de puissance, et est complémentaire à la durée de vie en fonctionnement à haute température.
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