NF EN 62417

NF EN 62417

novembre 2010
Norme En vigueur

Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET)

Le présent document fournit une procédure d'essai au niveau de la plaquette pour déterminer la quantité de charge positive mobile à l'intérieur des couches d'oxyde dans les transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ. Il s'applique aux deux transistors à effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des dégradations des dispositifs microélectroniques, par exemple en décalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.

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Informations générales

Collections

Normes nationales et documents normatifs nationaux

Date de publication

novembre 2010

Nombre de pages

20 p.

Référence

NF EN 62417

Codes ICS

31.080.30   Transistors

Indice de classement

C80-203

Numéro de tirage

1 - 03/12/2010

Parenté internationale

IEC 62417:2010

Parenté européenne

EN 62417:2010
Résumé
Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET)

Le présent document fournit une procédure d'essai au niveau de la plaquette pour déterminer la quantité de charge positive mobile à l'intérieur des couches d'oxyde dans les transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ. Il s'applique aux deux transistors à effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des dégradations des dispositifs microélectroniques, par exemple en décalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.
Sommaire
  • Avant-propos
    2
  • SOMMAIRE
    3
  • 1 Domaine d'application
    4
  • 2 Abréviations et symboles littéraux
    4
  • 3 Description générale
    4
  • 4 Equipement d'essai
    5
  • 5 Structures d'essai
    5
  • 6 Taille d'échantillon
    5
  • 7 Conditions
    5
  • 8 Procédure
    6
  • 8.1 Contrainte de température de polarisation
    6
  • 8.2 Balayage de tension
    6
  • 9 Critères
    7
  • 10 Comptes rendus
    8
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