XP ISO/TS 10867
Nanotechnologies - Caractérisation de nanotubes de carbone monofeuillet en utilisant la spectroscopie de photoluminescence dans le proche infra-rouge
L'ISO/TS 10867:2010 fournit des lignes directrices pour la caractérisation des nanotubes de carbone mono feuillet (SWCNTs) en utilisant la spectroscopie de photoluminescence (PL) dans le proche infrarouge (NIR).L'ISO/TS 10867:2010 fournit une méthode pour la détermination des indices chiraux et la mesure des intensités intégrées relatives des pics de PL des SWCNTs semi-conducteurs présents dans un échantillon.La méthode peut être étendue pour estimer les concentrations massiques relatives des SWCNT semi‑conducteurs présents dans un échantillon à partir des valeurs mesurées des intensités intégrées des pics de PL et de la connaissance de leur section efficace de photoluminescence.
L'ISO/TS 10867:2010 fournit des lignes directrices pour la caractérisation des nanotubes de carbone mono feuillet (SWCNTs) en utilisant la spectroscopie de photoluminescence (PL) dans le proche infrarouge (NIR).
L'ISO/TS 10867:2010 fournit une méthode pour la détermination des indices chiraux et la mesure des intensités intégrées relatives des pics de PL des SWCNTs semi-conducteurs présents dans un échantillon.
La méthode peut être étendue pour estimer les concentrations massiques relatives des SWCNT semi‑conducteurs présents dans un échantillon à partir des valeurs mesurées des intensités intégrées des pics de PL et de la connaissance de leur section efficace de photoluminescence.
Le présent document fournit des lignes directrices pour la caractérisation des nanotubes de carbone monofeuillet (SWCNT) en utilisant la spectroscopie de photoluminescence (PL) dans le proche infrarouge (NIR). Il fournit une méthode pour la détermination des indices chiraux des SWCNT semi-conducteurs présents dans un échantillon et la mesure des intensités intégrées relatives des pics de PL. La méthode peut être étendue pour estimer les concentrations massiques relatives des SWCNT semi-conducteurs présents dans un échantillon à partir des valeurs mesurées des intensités intégrées des pics de PL et de la connaissance de leur section efficace de PL.
- Avant-proposiv
- Introductionv
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1 Domaine d'application1
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2 Références normatives1
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3 Termes et définitions1
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4 Principes de la photoluminescence dans les nanotubes de carbone mono feuillet (SWCNT)2
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4.1 Structure des SWCNT2
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4.2 Structure de bande et pics de photoluminescence (PL)3
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4.3 Effets des excitons5
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5 Appareillage pour la spectroscopie de photoluminescence dans le proche infrarouge (NIR-PL)5
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5.1 Spectromètre NIR-PL5
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5.2 Source lumineuse5
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6 Méthodes de préparation des échantillons6
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6.1 Préparation pour la mesure d'une dispersion de SWCNT dans D206
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6.2 Préparation pour la mesure d'un film solide à partir d'une dispersion de SWCNT6
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7 Modes opératoires de mesure7
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8 Analyse des données et interprétation des résultats7
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8.1 Règles empiriques pour la détermination de la structure7
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8.2 Détermination des indices chiraux des SWCNT semi-conducteurs présents dans un échantillon8
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9 Incertitudes9
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10 Rapport d'essai9
- Annexe A (informative) Études de cas10
- Bibliographie17
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