IEC 60891:2009

IEC 60891:2009

décembre 2009
Norme internationale Annulée

Dispositifs photovoltaïques - Procédures pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V mesurées

La CEI 60891:2009 définit des procédures à suivre pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V (courant-tension) mesurées des dispositifs photovoltaïques. Elle définit également les procédures utilisées pour déterminer les facteurs appropriés pour ces corrections. Les exigences pour la mesure I-V des dispositifs photovoltaïques sont données dans la CEI 60904-1. Les principales modifications techniques par rapport à l'édition précédente sont les suivantes:- extension de la procédure de transposition de l'édition 1 au changement d'éclairement pendant la mesure I-V;- ajout de deux nouvelles procédures de transposition;- révision de la procédure utilisée pour déterminer les coefficients de température pour inclure les modules PV;- définition d'une nouvelle procédure pour déterminer la résistance-série interne;- définition d'une nouvelle procédure pour déterminer le facteur de correction de la courbe.

Informations générales

Collections

Normes internationales IEC

Date de publication

décembre 2009

Nombre de pages

40 p.

Référence

IEC 60891:2009
Résumé
Dispositifs photovoltaïques - Procédures pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V mesurées

La CEI 60891:2009 définit des procédures à suivre pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V (courant-tension) mesurées des dispositifs photovoltaïques. Elle définit également les procédures utilisées pour déterminer les facteurs appropriés pour ces corrections. Les exigences pour la mesure I-V des dispositifs photovoltaïques sont données dans la CEI 60904-1. Les principales modifications techniques par rapport à l'édition précédente sont les suivantes:
- extension de la procédure de transposition de l'édition 1 au changement d'éclairement pendant la mesure I-V;
- ajout de deux nouvelles procédures de transposition;
- révision de la procédure utilisée pour déterminer les coefficients de température pour inclure les modules PV;
- définition d'une nouvelle procédure pour déterminer la résistance-série interne;
- définition d'une nouvelle procédure pour déterminer le facteur de correction de la courbe.
Normes remplacées (2)
IEC 60891:1987
avril 1987
Norme internationale Annulée
Procédures pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V mesurées des dispositifs photovoltaïques au silicium cristallin

Donne des procédures concernant les corrections en fonction de la température et de l'éclairement qui devraient être appliquées aux caractéristiques I-V mesurées des dispositifs photovoltaïques au silicium cristallin seulement.

Norme internationale Annulée
Amendement 1 - Procédures pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V mesurées des dispositifs photovoltaïques au silicium cristallin

Norme remplacée par (1)
IEC 60891:2021
octobre 2021
Norme internationale En vigueur
Dispositifs photovoltaïques - Procédures pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V mesurées

IEC 60891:2021 définit des procédures à suivre pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement appliquées aux caractéristiques I-V (courant-tension) mesurées (également appelées courbes I-V) des dispositifs photovoltaïques (PV). Il définit également les procédures utilisées pour déterminer les facteurs appropriés pour ces corrections. Les exigences pour le mesurage I-V des dispositifs PV sont données dans l'IEC 60904-1 et ses sous-parties applicables. Cette troisième édition annule et remplace la deuxième édition parue en 2009. Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente: - ajout de recommandations concernant la procédure de correction à utiliser selon l'application; - introduction de la procédure de transposition 4 applicable aux technologies c-Si avec des coefficients de température inconnus; - introduction de différentes classifications dans les procédures existantes afin d'améliorer la précision de mesure et de réduire l'incertitude de mesure; - ajout d'une annexe informative qui présente des méthodes supplémentaires qui peuvent être utilisées pour déterminer la résistance-série. Le contenu du corrigendum 1 (2024-10) a été pris en considération dans cet exemplaire.

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