IEC 60891:1987
Procédures pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V mesurées des dispositifs photovoltaïques au silicium cristallin
Donne des procédures concernant les corrections en fonction de la température et de l'éclairement qui devraient être appliquées aux caractéristiques I-V mesurées des dispositifs photovoltaïques au silicium cristallin seulement.
Donne des procédures concernant les corrections en fonction de la température et de l'éclairement qui devraient être appliquées aux caractéristiques I-V mesurées des dispositifs photovoltaïques au silicium cristallin seulement.
La CEI 60891:2009 définit des procédures à suivre pour les corrections en fonction de la température et de l'éclairement à appliquer aux caractéristiques I-V (courant-tension) mesurées des dispositifs photovoltaïques. Elle définit également les procédures utilisées pour déterminer les facteurs appropriés pour ces corrections. Les exigences pour la mesure I-V des dispositifs photovoltaïques sont données dans la CEI 60904-1. Les principales modifications techniques par rapport à l'édition précédente sont les suivantes: - extension de la procédure de transposition de l'édition 1 au changement d'éclairement pendant la mesure I-V; - ajout de deux nouvelles procédures de transposition; - révision de la procédure utilisée pour déterminer les coefficients de température pour inclure les modules PV; - définition d'une nouvelle procédure pour déterminer la résistance-série interne; - définition d'une nouvelle procédure pour déterminer le facteur de correction de la courbe.
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