IEC 62276:2012

Provides specifications for manufacturing piezoelectric single crystal wafers to be used in surface acoustic wave devices. Applies to the manufacture of synthetic quartz, lithium niobate, lithium tantalate, lithium tetraborate, and lanthanum gallium silicate single crystal wafers intended for use as substrates in the manufacture of surface acoustic wave filters and resonators.

L'IEC 62276:2016 s'applique à la fabrication de tranches monocristallines de quartz synthétique, de niobate de lithium (LN), de tantalate de lithium (LT), de tétraborate de lithium (LBO) et de silicate de gallium et de lanthane (LGS) destinées à être utilisées comme substrats dans la fabrication de résonateurs et de filtres à ondes acoustiques de surface (OAS). La présente édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente: - Corrections des indications de l'angle d'Euler au Tableau 1 et des directions des axes à la Figure 3. - La définition de "cristal jumeau" n'était pas expliquée de manière suffisamment claire en 3.3.3. Elle a été révisée par une définition plus détaillée. - Le nombre maximal de canaux de gravure dans un germe de tranche de quartz qui ne traverse pas de la surface avant à la surface arrière est déterminé pour trois classes en 4.2.13 a). Les utilisateurs utilisent des parties de germes de tranches de quartz pour les dispositifs. Ces tranches de quartz nécessitent moins de canaux de gravure dans un germe pour réduire les défauts dans les dispositifs. La classification des canaux de gravure dans un germe peut nécessiter une augmentation de la qualité des tranches de quartz.