NF C96-008
Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 8 : field-effect transistors.
Cette norme constitue la huitième partie d'une norme générale pour les dispositifs à semiconducteurs. Elle définit la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure applicables aux transistors à effet de champ. Elle doit être utilisée en relation avec la norme NF C 96-001 : Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - 1ère partie : Généralités (juillet 1984), qui est la reproduction de la publication 747-1 de la CEI.
Cette norme constitue la huitième partie d'une norme générale pour les dispositifs à semiconducteurs. Elle définit la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure applicables aux transistors à effet de champ. Elle doit être utilisée en relation avec la norme NF C 96-001 : Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - 1ère partie : Généralités (juillet 1984), qui est la reproduction de la publication 747-1 de la CEI.
- CHAPITRE I : GÉNÉRALITÉS
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1. Note d'introduction3
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2. Domaine d'application3
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3. Classification3
- CHAPITRE II : TERMINOLOGIE ET SYMBOLES LITTÉRAUX
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1. Types de transistors à effet de champ4
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2. Termes généraux4
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3. Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques5
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4. Symboles littéraux6
- CHAPITRE III : VALEURS LIMITES ET CARACTÉRISTIQUES ESSENTIELLES
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1. Généralités12
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1.1 Catégories de dispositifs12
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1.2 Dispositifs à grilles multiples12
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1.3 Précautions de manipulation12
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2. Valeurs limites12
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2.1 Températures12
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2.2 Dissipation de puissance12
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2.3 Tensions et courants12
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2.4 Données mécaniques13
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3. Caractéristiques13
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3.1 Caractéristiques pour applications en amplificateur basse fréquence13
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3.2 Caractéristiques pour applications en amplificateur haute fréquence15
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3.3 Caractéristiques pour applications en commutation16
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3.4 Caractéristiques pour applications en découpeur18
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3.5 Caractéristiques pour applications en amplificateur à courant continu à faible niveau20
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3.6 Caractéristiques pour applications en résistance commandée par la tension21
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3.7 Caractéristiques spécifiques des transistors à effet de champ appariés pour applications différentielles en
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basse fréquence22
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4. Données d'applications23
- CHAPITRE IV: MÉTHODES DE MESURE
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1. Généralités24
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1.1 Polarité24
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1.2 Précautions générales24
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1.3 Précautions de manipulation24
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1.4 Catégories pour les différents types24
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2. Courant résiduel de grille ou courant de fuite de grille24
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3. Courant de drain (types A, B et C)26
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4. Courant de drain au blocage (types A, B et C)27
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5. Tension grille-source de blocage (types A et B)27
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6. Tension de seuil grille-source (type C)28
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7. Capacité d'entrée, sortie en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)28
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8. Conductance de sortie, entrée en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)30
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9. Capacité de sortie, entrée en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)32
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10. Transconductance directe, sortie en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)33
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11. Capacité de réaction, entrée en court-circuit, en petits signaux (types A, B et C)36
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12. Bruit (types A, B et C)38
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13. Paramètres y (types A, B et C)40
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14. Temps de commutation (types A, B et C)40
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15. Résistance statique drain-source à l'état passant ou tension drain-source à l'état passant et résistance à l'état bloqué42
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16. Résistance drain-source à l'état passant (en petits signaux)43
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17. Paramètress44
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