NF EN 62374-1

NF EN 62374-1

June 2011
Standard Current

Semiconductor devices - Part 1 : time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

Le présent document décrit une méthode d'essai de la rupture diélectrique en fonction du temps (TDDB) pour films diélectriques de grille des dispositifs à semiconducteurs et une méthode d'estimation de la durée de vie de produit en présence d'une défaillance de type TDDB.

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Main informations

Collections

National standards and national normative documents

Publication date

June 2011

Number of pages

36 p.

Reference

NF EN 62374-1

ICS Codes

31.080.01   Semiconductor devices in general

Classification index

C96-017-1

Print number

1

International kinship

IEC 62374-1:2010

European kinship

EN 62374-1:2010
Sumary
Semiconductor devices - Part 1 : time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers

Le présent document décrit une méthode d'essai de la rupture diélectrique en fonction du temps (TDDB) pour films diélectriques de grille des dispositifs à semiconducteurs et une méthode d'estimation de la durée de vie de produit en présence d'une défaillance de type TDDB.
Table of contents
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  • 1 Domaine d'application
    4
  • 2 Termes et définitions
    4
  • 3 Matériel d'essai
    6
  • 4 Echantillons d'essai
    6
  • 4.1 Généralités
    6
  • 4.2 Structure d'essai: structure de condensateur
    6
  • 4.3 Surface
    7
  • 5 Procédures
    7
  • 5.1 Généralités
    7
  • 5.2 Essai préalable
    9
  • 5.3 Conditions d'essai
    9
  • 5.4 Critères
    9
  • 6 Estimation de durée de vie
    12
  • 6.1 Généralités
    12
  • 6.2 Modèle d'accélération
    12
  • 6.3 Procédure de l'estimation de la durée de vie
    14
  • 7 Dépendance de la durée de vie par rapport à la surface de l'oxyde de grille
    17
  • Annexe A (informative) Condition d'essai de détermination supplémentaire et analyse des données
    18
  • Bibliographie
    21
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