IEC 60747-8:1984/AMD1:1991

IEC 60747-8:1984/AMD1:1991

juillet 1991
Norme internationale Annulée

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ

Traite du cas des transistors MOS de puissance.

Informations générales

Collections

Normes internationales IEC

Date de publication

juillet 1991

Nombre de pages

17 p.

Référence

IEC 60747-8:1984/AMD1:1991

Numéro de tirage

1
Résumé
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ

Traite du cas des transistors MOS de puissance.
Norme remplacée par (1)
IEC 60747-8:2000
décembre 2000
Norme internationale Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 8: Transistors à effet de champ

Donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effet de champ: - type A : type à jonction de grille; - type B : type à grille isolée à déplétion; - type C : typeà grille isolée à enrichissement.

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