IEC 60747-8:1984
IEC 60747-8:1984

IEC 60747-8:1984

décembre 1984
Norme internationale Annulée

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ

Donne les normes pour les catégories suivantes de tran-sistors à effet de champ: - type A: type à jonction de grille; - type B: type à grille isolée à déplétion; - type C: type à grille isolée à enrichissement.

Informations générales

Collections

Normes internationales IEC

Date de publication

décembre 1984

Nombre de pages

91 p.

Référence

IEC 60747-8:1984

Codes ICS

31.080.30   Transistors

Numéro de tirage

1
Résumé
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ

Donne les normes pour les catégories suivantes de tran-sistors à effet de champ: - type A: type à jonction de grille; - type B: type à grille isolée à déplétion; - type C: type à grille isolée à enrichissement.
Normes remplacées (1)
IEC 60147-2G:1975
IEC 60147-2G:1975
janvier 1975
Norme internationale Annulée
Complément G - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure - Chapitre 4: Transistors à effet de champ

Norme remplacée par (1)
IEC 60747-8:2000
IEC 60747-8:2000
décembre 2000
Norme internationale Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 8: Transistors à effet de champ

Donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effet de champ: - type A : type à jonction de grille; - type B : type à grille isolée à déplétion; - type C : typeà grille isolée à enrichissement.

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