IEC 60747-9:1998

IEC 60747-9:1998

août 1998
Norme internationale Annulée

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

Spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée.

Informations générales

Collections

Normes internationales IEC

Date de publication

août 1998

Nombre de pages

51 p.

Référence

IEC 60747-9:1998

Numéro de tirage

1
Résumé
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

Spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée.
Norme remplacée par (1)
IEC 60747-9:2007
septembre 2007
Norme internationale Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

La présente partie de la CEI 60747 spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles, la vérification des valeurs limites ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT, insulated-gate bipolar transistors). Les modifications principales par rapport à l'édition précédente sont principalement de nature éditoriale.

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