IEC 60747-9:1998
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
Spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée.
Spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée.
La présente partie de la CEI 60747 spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs limites et caractéristiques essentielles, la vérification des valeurs limites ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT, insulated-gate bipolar transistors). Les modifications principales par rapport à l'édition précédente sont principalement de nature éditoriale.
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