ISO 23812:2009
Analyse chimique des surfaces - Spectrométrie de masse des ions secondaires - Méthode pour l'étalonnage de la profondeur pour le silicium à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples
L'ISO 23812:2009 spécifie un mode opératoire permettant l'étalonnage de l'échelle de profondeur dans une région de faible profondeur, inférieure à 50 nm, lors du profilage en profondeur SIMS à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples. Elle ne s'applique pas à la région transitoire superficielle où la vitesse de pulvérisation n'est pas en régime permanent. Elle s'applique au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe.
L'ISO 23812:2009 spécifie un mode opératoire permettant l'étalonnage de l'échelle de profondeur dans une région de faible profondeur, inférieure à 50 nm, lors du profilage en profondeur SIMS à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples.
Elle ne s'applique pas à la région transitoire superficielle où la vitesse de pulvérisation n'est pas en régime permanent.
Elle s'applique au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe.
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