NF EN 60269-4

NF EN 60269-4

septembre 2007
Norme Annulée

Fusibles basse tension - Partie 4 : exigences supplémentaires concernant les éléments de remplacement utilisés pour la protection des dispositifs à semiconducteurs

Le présent document s'applique aux éléments de remplacement destinés à être associés à des matériels comportant des dispositifs à semiconducteurs et utilisés dans des circuits de tensions nominales inférieures ou égales à 1 000 V en courant alternatif, à 1 500 V en courant continu, ainsi que, s'il y a lieu, dans des circuits de tensions nominales supérieures à ces valeurs. Ce document entre dans le champ d'application de la Directive Basse Tension n°2006/95/CE du 12/12/2006.

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Informations complémentaires
Entre dans le champ d'application de la Directive Basse Tension n° 2006/95/CE
Informations générales

Collections

Normes nationales et documents normatifs nationaux

Date de publication

septembre 2007

Nombre de pages

56 p.

Référence

NF EN 60269-4

Codes ICS

29.120.50   Coupe-circuits à fusibles et autres dispositifs de protection contre les surintensités

Indice de classement

C60-200-4

Numéro de tirage

1 - 29/10/2007

Parenté internationale

IEC 60269-4:2006

Parenté européenne

EN 60269-4:2007
Résumé
Fusibles basse tension - Partie 4 : exigences supplémentaires concernant les éléments de remplacement utilisés pour la protection des dispositifs à semiconducteurs

Le présent document s'applique aux éléments de remplacement destinés à être associés à des matériels comportant des dispositifs à semiconducteurs et utilisés dans des circuits de tensions nominales inférieures ou égales à 1 000 V en courant alternatif, à 1 500 V en courant continu, ainsi que, s'il y a lieu, dans des circuits de tensions nominales supérieures à ces valeurs. Ce document entre dans le champ d'application de la Directive Basse Tension n°2006/95/CE du 12/12/2006.
Normes remplacées (3)
NF EN 60269-4
septembre 1997
Norme Annulée
Fusibles basse tension - Partie 4 : prescriptions supplémentaires concernant les éléments de remplacement utilisés pour la protection des dispositifs à semi-conducteurs

Le présent document s'applique aux éléments de remplacement destinés à être associés à des matériels comportant des dispositifs à semi-conducteurs et utilisés dans des circuits de tensions nominales inférieures ou égales à 1000 V en courant alternatif, à 1500 V en courant continu, ainsi que, s'il y a lieu, dans des circuits de tension nominales supérieures à ces valeurs.

NF EN 60269-4/A2
novembre 2003
Norme Annulée
Fusibles basse tension - Partie 4 : prescriptions supplémentaires concernant les éléments de remplacement utilisés pour la protection des dispositifs à semi-conducteurs

Le présent document modifie les prescriptions supplémentaires concernant les éléments de remplacement utilisés pour la protection des dispositifs à semi-conducteurs. Ce document entre dans le champ d'application de la Directive Basse Tension n ° 73/23/EEC du 19/02/73 modifiée par 93/68/CEE du 22/07/93. Il peut être utilisé dans le cadre de l'attribution du droit d'usage de la Marque de conformité aux normes.

NF EN 60269-4-1
septembre 2002
Norme Annulée
Fusibles basse tension - Partie 4-1 : prescriptions supplémentaires concernant les éléments de remplacement utilisés pour la protection des dispositifs à semi-conducteurs - Sections I à III : exemples d'éléments de remplacement normalisés

Le présent document est divisé en trois sections traitant chacune d'un exemple spécifique de dimensions normalisées : Section I: Eléments de remplacement à platines Section II: Eléments de remplacement à plots Section III: Eléments de remplacement à capsules cylindriques Il couvre des systèmes de dimension mais ne normalise pas les caractéristiques. Ce document entre dans le champ d'application de la Directive Basse Tension n° 73/23/EEC du 19/02/73 modifiée par 93/68/CEE du 22/07/93.

Norme remplacée par (1)
NF EN 60269-4
avril 2010
Norme En vigueur
Fusibles basse tension - Partie 4 : exigences supplémentaires concernant les éléments de remplacement utilisés pour la protection des dispositifs à semiconducteurs

Le présent document s'applique aux éléments de remplacement destinés à être associés à des matériels comportant des dispositifs à semiconducteurs et utilisés dans des circuits de tensions nominales inférieures ou égales à 1 000 V en courant alternatif, ou 1 500 V en courant continu, ainsi que, s'il y a lieu, dans des circuits de tensions nominales supérieures à ces valeurs. Le présent document entre dans le champ d'application de la Directive Basse Tension n°2006/95/CE du 12/12/2006.

Sommaire
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  • AVANT-PROPOS
    2
  • INTRODUCTION
    6
  • 1 Généralités
    7
  • 1.1 Domaine d'application et objet
    7
  • 1.2 Références normatives
    7
  • 2 Termes et définitions
    8
  • 2.2 Termes généraux
    8
  • 3 Conditions de fonctionnement en service
    8
  • 3.4 Tension
    8
  • 3.5 Courant
    9
  • 3.6 Fréquence, facteur de puissance et constante de temps
    9
  • 3.10 Température à l'intérieur d'une enveloppe
    10
  • 4 Classification
    10
  • 5 Caractéristiques des fusibles
    10
  • 5.1 Enumération des caractéristiques
    10
  • 5.2 Tension assignée
    10
  • 5.4 Fréquence assignée
    10
  • 5.5 Puissance dissipée assignée de l'élément de remplacement
    10
  • 5.6 Limites des caractéristiques temps-courant
    11
  • 5.8 Caractéristiques d'amplitude du courant coupé et I2t
    13
  • 5.9 Caractéristiques de la tension de coupure
    14
  • 6 Marquage
    14
  • 6.2 Marquages et indications des éléments de remplacement
    14
  • 7 Conditions normales de réalisation
    15
  • 7.3 Echauffement et puissance dissipée de l'élément de remplacement
    15
  • 7.4 Fonctionnement
    15
  • 7.5 Pouvoir de coupure
    15
  • 7.7 Caractéristiques I2t
    16
  • 7.14 Caractéristiques de la tension de coupure
    16
  • 7.15 Conditions de fonctionnement particulières
    16
  • 8 Essais
    16
  • 8.1 Généralités
    16
  • 8.3 Vérification des limites d'échauffement et de la puissance dissipée
    18
  • 8.4 Vérification du fonctionnement
    19
  • 8.5 Vérification du pouvoir de coupure
    21
  • 8.6 Vérification de la caractéristique d'amplitude du courant coupé
    25
  • 8.7 Vérification des caractéristiques I2t et sélectivité en cas de surintensités
    26
  • Annexe A (informative) Lignes directrices pour la coordination entre les éléments de remplacement et les dispositifs à semiconducteurs
    31
  • Annexe B (normative) Informations à fournir par le constructeur dans sa documentation (catalogue) sur les fusibles destinés à assurer la protection de dispositifs à semiconducteurs
    38
  • Annexe C (normative) Exemples d'éléments de remplacement normalisés pour la protection des semiconducteurs
    39
  • Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres publications internationales avec les publications européennes correspondantes
    54
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