NF EN 60749-8

NF EN 60749-8

novembre 2003
Norme En vigueur

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 8 : étanchéité

Le présent document est applicable aux dispositifs à semiconducteurs (dispositifs discrets et circuits intégrés). L'objet de cette méthode d'essais est de déterminer le taux de fuite des dispositifs à semiconducteurs.

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Informations générales

Collections

Normes nationales et documents normatifs nationaux

Date de publication

novembre 2003

Nombre de pages

36 p.

Référence

NF EN 60749-8

Codes ICS

31.080.01   Dispositifs à semi-conducteurs en général

Indice de classement

C96-022-8

Numéro de tirage

1 - 05/12/2003

Parenté internationale

IEC 60749-8:2002

Parenté européenne

EN 60749-8:2003
Résumé
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 8 : étanchéité

Le présent document est applicable aux dispositifs à semiconducteurs (dispositifs discrets et circuits intégrés). L'objet de cette méthode d'essais est de déterminer le taux de fuite des dispositifs à semiconducteurs.
Sommaire
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  • AVANT-PROPOS
    2
  • INTRODUCTION
    4
  • 1 Domaine d'application et objet
    5
  • 2 Références normatives
    5
  • 3 Définitions générales
    5
  • 3.1 Unités de pression
    5
  • 3.2 Taux de fuite normalisé
    5
  • 3.3 Taux de fuite mesuré
    5
  • 3.4 Taux de fuite normalisé équivalent
    6
  • 4 Essai de pression à la bombe
    6
  • 5 Détection des microfuites: méthode au krypton radioactif
    6
  • 5.1 Objet
    6
  • 5.2 Description générale
    6
  • 5.3 Précautions concernant le personnel
    8
  • 5.4 Procédure d'essai
    8
  • 5.5 Conditions spécifiées
    9
  • 5.6 Détection de fuites franches
    9
  • 6 Détection des microfuites: méthode d'essai au gaz traceur (hélium) au moyen d'un spectrographe de masse
    9
  • 6.1 Généralités
    9
  • 6.2 Méthode 1: composants non remplis d'hélium pendant la fabrication - Méthode fixe
    9
  • 6.3 Méthode 2: composants non remplis d'hélium pendant la fabrication - Méthode flexible
    10
  • 6.4 Méthode 3: composants remplis d'hélium pendant la fabrication
    11
  • 6.5 Détection de fuites franches
    11
  • 7 Fuites franches, méthode de détection électronique des vapeurs de perfluorocarbone
    11
  • 7.1 Objet
    11
  • 7.2 Description générale
    11
  • 7.3 Matériel d'essai
    11
  • 7.4 Méthode d'essai
    12
  • 7.5 Critère de rejet
    12
  • 8 Fuites franches - Méthode de détection de bulles de perfluorocarbone
    13
  • 9 Condition d'essai E, détection des fuites franches par augmentation de poids
    13
  • 9.1 Objet
    13
  • 9.2 Matériel
    13
  • 9.3 Procédure
    14
  • 9.4 Critères de défaillance
    14
  • 10 Détection des fuites franches par pénétration de colorant
    15
  • 11 Vérification de l'essai de fuites franches
    15
  • Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres publications internationales avec les publications européennes correspondantes
    16
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