NF EN 60747-5-2
Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-2 : dispositifs optoélectroniques - Valeurs limites et caractéristiques essentielles
Le présent document donne les valeurs limites et caractéristiques essentielles des catégories et sous-catégories suivantes de dispositifs optoélectroniques qui ne sont pas destinés à être utilisés dans le domaine des systèmes et sous-systèmes à fibres optiques : Photoémetteurs à semiconducteurs, détecteurs photoélectriques à semiconducteurs, dispositifs photosensibles à semiconducteurs et dispositifs à semiconducteurs utilisant le rayonnement optique pour leur fonctionnement interne.
Le présent document donne les valeurs limites et caractéristiques essentielles des catégories et sous-catégories suivantes de dispositifs optoélectroniques qui ne sont pas destinés à être utilisés dans le domaine des systèmes et sous-systèmes à fibres optiques : Photoémetteurs à semiconducteurs, détecteurs photoélectriques à semiconducteurs, dispositifs photosensibles à semiconducteurs et dispositifs à semiconducteurs utilisant le rayonnement optique pour leur fonctionnement interne.
- Avant-propos2
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1 Domaine d'application5
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2 Références normatives5
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3 Diodes électroluminescentes (à l'exclusion des dispositifs pour systèmes ou sous-systèmes à fibres optiques)6
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3.1 Type6
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3.2 Matériau semiconducteur6
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3.3 Couleur6
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3.4 Détails d'encombrement et d'encapsulation6
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3.5 Valeurs limites (système des limites absolues)6
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3.6 Caractéristiques électriques7
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3.7 Informations supplémentaires7
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4 Diodes émettrices en infrarouge (à l'exclusion des dispositifs pour systèmes ou sous-systèmes à fibres optiques)8
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4.1 Type8
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4.2 Matériau semiconducteur8
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4.3 Détails d'encombrement et d'encapsulation8
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4.4 Valeurs limites (système des limites absolues)8
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4.5 Caractéristiques électriques9
-
4.6 Informations supplémentaires9
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5 Photodiodes (à l'exclusion des dispositifs pour systèmes ou sous-systèmes à fibres optiques)9
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5.1 Type9
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5.2 Matériau semiconducteur9
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5.3 Détails d'encombrement et d'encapsulation10
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5.4 Valeurs limites (système des limites absolues)10
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5.5 Caractéristiques électriques10
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5.6 Informations supplémentaires11
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6 Phototransistors (à l'exclusion des dispositifs pour systèmes et sous-systèmes à fibres optiques)11
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6.1 Type11
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6.2 Matériau semiconducteur11
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6.3 Polarité11
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6.4 Détails d'encombrement et d'encapsulation11
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6.5 Valeurs limites (système des limites absolues)11
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6.6 Caractéristiques électriques12
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6.7 Informations supplémentaires13
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7 Photocoupleurs, optocoupleurs (avec transistor de sortie)13
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7.1 Type13
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7.2 Matériau semiconducteur13
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7.3 Polarité du transistor de sortie13
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7.4 Détails d'encombrement et d'encapsulation13
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7.5 Valeurs limites (système des limites absolues)13
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7.6 Caractéristiques électriques15
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7.7 Informations supplémentaires16
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8 Photocoupleurs (optocoupleurs) offrant une protection contre les chocs électriques16
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8.1 Type16
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8.2 Matériau semiconducteur16
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8.3 Détails d'encombrement et d'encapsulation16
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8.4 Valeurs limites16
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8.5 Caractéristiques électriques16
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8.6 Informations sur des essais électriques, d'environnement et/ou d'endurance (information supplémentaire)17
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9 Diodes laser21
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9.1 Type21
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9.2 Semiconducteur21
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9.3 Détails d'encombrement et encapsulation21
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9.4 Valeurs limites (système des limites absolues)21
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9.5 Caractéristiques électriques et optiques22
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9.6 Informations supplémentaires23
- Annexe A (informative) - Index des références croisées24
- Annexe B (normative) - Essai de sécurité entrée/sortie26
- Annexe ZA (normative) - Références normatives à d'autres publications internationales avec les publications européennes correspondantes27
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