Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 7 : bipolar transistors.

Cette norme constitue la septième partie d'une norme générale pour les dispositifs à semiconducteurs. Elle définit la terminologie, les symboles littéraux les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure applicables aux transistors biplaires. Elle doit être utilisée en relation avec la norme NF C 96-001 : Dipositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - 1 ère partie Généralités (juillet 1984), qui est la reproduction 747-1 de la CEI.

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Main informations

Collections

National standards and national normative documents

Publication date

June 1989

Number of pages

115 p.

Reference

NF C96-007

ICS Codes

31.080.30 Transistors

Classification index

C96-007

Print number

1 - 01/07/1989

International kinship

IEC 60747-7:1988

Sumary

Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 7 : bipolar transistors.

Cette norme constitue la septième partie d'une norme générale pour les dispositifs à semiconducteurs. Elle définit la terminologie, les symboles littéraux les valeurs limites et caractéristiques essentielles ainsi que les méthodes de mesure applicables aux transistors biplaires. Elle doit être utilisée en relation avec la norme NF C 96-001 : Dipositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - 1 ère partie Généralités (juillet 1984), qui est la reproduction 747-1 de la CEI.

Table of contents

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PRÉAMBULE
4
PRÉFACE
4
INDEX DES RÉFÉRENCES CROISÉES
5
CHAPITRE I: GÉNÉRALITÉS
1. Note d'introduction
6
2. But
6
3. Symboles littéraux
6
CHAPITRE II: TERMINOLOGIE ET SYMBOLES LITTÉRAUX
1. Types de transistors
7
2. Termes généraux
7
3. Montages de circuit
8
4. Termes relatifs aux valeurs limites et aux caractéristiques
9
5. Paramètres s
13
6. Symboles littéraux
18
6.1 Symboles littéraux pour les courants, les tensions et les puissances
18
6.2 Symboles littéraux pour les paramètres électriques
18
6.3 Symboles littéraux pour les autres grandeurs
18
6.4 Liste de symboles littéraux
19
CHAPITRE III: VALEURS LIMITES ET CARACTÉRISTIQUES ESSENTIELLES
SECTION UN - TRANSISTORS POUR SIGNAUX DE FAIBLE PUISSANCE (à l'exclusion des applications en commutation)
1. Généralités
28
2. Valeurs limites
28
3. Caractéristiques
29
4. Données d'application (à l'étude)
33
SECTION DEUX - TRANSISTORS DE PUISSANCE (à l'exclusion des applications en commutation et en haute fréquence)
1. Généralités
34
2. Valeurs limites
34
3. Caractéristiques
35
4. Données d'application (à l'étude)
36
SECTION TROIS - TRANSISTORS DE PUISSANCE HAUTE FRÉQUENCE POUR APPLICATIONS EN AMPLIFICATEURS ET EN OSCILLATEURS
1. Type
36
2. Matériau semiconducteur
36
3. Polarité
36
4. Encombrement
36
5. Valeurs limites (système des limites absolues) dans la gamme des températures de fonctionnement, sauf indication contraire
37
6. Caractéristiques
38
7. Informations supplémentaires
40
8. Information en fonction de l'environnement et/ou de l'endurance (à l'étude)
40
SECTION QUATRE - TRANSISTORS DE COMMUTATION
1. Généralités
41
2. Valeurs limites
41
3. Caractéristiques
42
4. Données d'applications (à l'étude)
44
CHAPITRE IV: MÉTHODES DE MESURE GÉNÉRALES ET DE RÉFÉRENCE
SECTION UN - MÉTHODES DE MESURE GÉNÉRALES
1. Généralités
45
2. Courants résiduels collecteur-base (ICBO) et émetteur-base (IEBO) (méthode en courant continu)
45
3. Courants résiduels collecteur-émetteur (méthode en courant continu) (ICEO' lCER' ICEX' ICES)
45
4. Tension de saturation collecteur-émetteur ( VCEsat)
46
5. Tension de saturation base-émetteur ( VBEsat)
48
6. Tension base-émetteur (méthode en courant continu) ( VBE)
49
7. Tension, de maintien collecteur-émetteur (VCEO(sus), VCER(sus))
50
8. Capacités
52
8.1 Capacité de sortie en montage base commune (C22b ou Cob)
52
8.2 Capacité collecteur base (Cb)
54
9. Paramètres hybrides (petits et forts signaux)
55
10. Valeurs limites des tensions et caractéristiques mesurables limitant les tensions d'utilisation (V(BR)CBO' V(BR)EBO, Is/B)
62
11. Résistance thermique (Rth)
65
12. Temps de commutation (td' tr' ton' t5' tf' toff)
76
13. Paramètres haute fréquence (fT' C22b' Re (hlle)' y e..s..)
78
14. Bruit (F)
94
SECTION DEUX - MÉTHODES DE MESURE DE RÉFÉRENCE
1. Généralités
101
2. Courant résiduel collecteur-base (courant inverse) (lCBO)
103
3. Courant résiduel émetteur-base (courant inverse) (IEBO)
104
4. Tension de saturation collecteur-émetteur (VCEsat)
104
5. Tension de saturation base-émetteur (VBEsat)
107
6. Tension directe base-émetteur (VBE)
108
7. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en montage émetteur commun (h21E)
109
8. Rapport de transfert direct du courant en petits signaux et en montage émetteur commun en basse fréquence (h21E)
111
9. Paramètres de commutation (à l'étude)
112
CHAPITRE V: RÉCEPTION ET FIABILITÉ
SECTION UN - ESSAIS D'ENDURANCE ÉLECTRIQUES
1. Exigences générales
113
2. Exigences spécifiques
113
2.1 Liste des essais d'endurance
113
2.2 Conditions pour les essais d'endurance
113
2.3 Critères de défaillance et caractéristiques définissant la défaillance pour les essais de réception
113
2.4 Critères de défaillance et caractéristiques définissant la défaillance pour les essais de fiabilité (à l'étude)
113
2.5 Procédure à suivre dans le cas d'une erreur d'essai
113

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