NF ISO 14237

NF ISO 14237

September 2010
Standard Current

Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials

ISO 14237:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method for the determination of boron atomic concentration in single-crystalline silicon using uniformly doped materials calibrated by a certified reference material implanted with boron. This method is applicable to uniformly doped boron in the concentration range from 1 x 1016 atoms/cm3 to 1 x 1020 atoms/cm3.

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Main informations

Collections

National standards and national normative documents

Publication date

September 2010

Number of pages

25 p.

Reference

NF ISO 14237

ICS Codes

71.040.40   Chemical analysis

Classification index

X21-070

Print number

1 - 01/09/2010

International kinship

ISO 14237:2010
Sumary
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials

ISO 14237:2010 specifies a secondary-ion mass spectrometric method for the determination of boron atomic concentration in single-crystalline silicon using uniformly doped materials calibrated by a certified reference material implanted with boron. This method is applicable to uniformly doped boron in the concentration range from 1 x 1016 atoms/cm3 to 1 x 1020 atoms/cm3.

Table of contents
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  • Avant-propos
    iv
  • Introduction
    v
  • 1 Domaine d'application
    1
  • 2 Références normatives
    1
  • 3 Principe
    1
  • 4 Matériaux de référence
    1
  • 4.1 Matériau de référence primaire
    1
  • 4.2 Matériaux de référence secondaires
    2
  • 5 Appareillage
    2
  • 6 Échantillon
    3
  • 7 Mode opératoire
    3
  • 7.1 Réglage du spectromètre de masse d'ions secondaires
    3
  • 7.2 Optimisation des réglages du spectromètre de masse d'ions secondaires
    3
  • 7.3 Introduction de l'échantillon
    3
  • 7.4 Ions détectés
    4
  • 7.5 Étalonnage
    4
  • 7.6 Mesurage de l'échantillon
    6
  • 8 Expression des résultats
    7
  • 8.1 Méthode de calcul
    7
  • 8.2 Fidélité
    8
  • 9 Rapport d'essai
    8
  • Annexe A (informative) Détermination de la densité de porteurs dans une tranche de silicium
    9
  • Annexe B (informative) Rapport isotopique du bore mesuré par SIMS
    11
  • Annexe C (normative) Modes opératoires pour l'évaluation du bon fonctionnement de l'appareillage
    14
  • Annexe D (informative) Rapport statistique de l'essai interlaboratoires
    16
  • Bibliographie
    19
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