IEC 60747-8:2010
Doit être utilisée conjointement avec la IEC 60747-1:2006
IEC 60747-8:2010
décembre 2010
Norme internationale
En vigueur
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8 : transistors à effet de champ
Informations complémentaires
Informations générales
Collections
Normes internationales IEC
Date de publication
décembre 2010
Nombre de pages
155 p.
Référence
IEC 60747-8:2010
Codes ICS
31.080.30 Transistors
Numéro de tirage
1 - 28/12/2010
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Normes remplacées
(3)
IEC 60747-8-2:1993
février 1993
Norme internationale
Annulée
Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Partie 8 : transistors à effet de champ. Section deux : spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ à température de boîtier spécifiée pour applications en amplificateurs de puissance.
IEC 60747-8-3:1995
avril 1995
Norme internationale
Annulée
Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Partie 8 : transistors à effet de champ. Section 3 : spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ, à température de boîtier spécifiée, pour applications en commutation.
IEC 60747-8-4:2004
septembre 2004
Norme internationale
Annulée
Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 8-4 : transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) pour les applications de commutation de puissance
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