IEC 60747-8:2010
Collections
Normes internationales IEC
Date de publication
décembre 2010
Nombre de pages
155 p.
Référence
IEC 60747-8:2010
IEC 60747-8:2010
décembre 2010
Norme internationale
En vigueur
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors à effet de champ
La CEI 60747-8:2010 donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effets de champ:- type A: type à jonction de grille;- type B: type à grille isolée à déplétion (appauvrissement) (normalement à l'état passant);- type C: type à grille isolée à enrichissement (normalement à l'état bloqué).Les principaux changements par rapport à l'édition précédente sont énumérés ci-dessous.a) L'Article 3 "Classification" a été déplacé et ajouté à l'Article 1.b) L'Article 4 "Terminologie et symboles littéraux" a été divisé en Article 3 "Termes et définitions" et Article 4 "Symboles littéraux", ce dernier a été amendé avec des additions et des suppressions.c) Les Articles 5, 6 et 7 ont été amendés avec les nécessaires additions et suppressions.Cette publication doit être lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.
Informations générales
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Résumé
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors à effet de champ
La CEI 60747-8:2010 donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effets de champ:
- type A: type à jonction de grille;
- type B: type à grille isolée à déplétion (appauvrissement) (normalement à l'état passant);
- type C: type à grille isolée à enrichissement (normalement à l'état bloqué).
Les principaux changements par rapport à l'édition précédente sont énumérés ci-dessous.
a) L'Article 3 "Classification" a été déplacé et ajouté à l'Article 1.
b) L'Article 4 "Terminologie et symboles littéraux" a été divisé en Article 3 "Termes et définitions" et Article 4 "Symboles littéraux", ce dernier a été amendé avec des additions et des suppressions.
c) Les Articles 5, 6 et 7 ont été amendés avec les nécessaires additions et suppressions.
Cette publication doit être lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.
La CEI 60747-8:2010 donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effets de champ:
- type A: type à jonction de grille;
- type B: type à grille isolée à déplétion (appauvrissement) (normalement à l'état passant);
- type C: type à grille isolée à enrichissement (normalement à l'état bloqué).
Les principaux changements par rapport à l'édition précédente sont énumérés ci-dessous.
a) L'Article 3 "Classification" a été déplacé et ajouté à l'Article 1.
b) L'Article 4 "Terminologie et symboles littéraux" a été divisé en Article 3 "Termes et définitions" et Article 4 "Symboles littéraux", ce dernier a été amendé avec des additions et des suppressions.
c) Les Articles 5, 6 et 7 ont été amendés avec les nécessaires additions et suppressions.
Cette publication doit être lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.
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Normes remplacées
(4)
IEC 60747-8-3:1995
avril 1995
Norme internationale
Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section 3: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ, à température de boîtier spécifiée, pour applications en commutation
IEC 60747-8-4:2004
septembre 2004
Norme internationale
Annulée
Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 8-4: Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) pour les applications de commutation de puissance
Donne des détails pour les deux catégories suivantes de transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) avec des diodes inverses : type à appauvrissement, type B (normalement à l'état passant) et type à enrichissement, type C (normalement à l'état bloqué).
IEC 60747-8-2:1993
février 1993
Norme internationale
Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section deux: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ à température de boîtier spécifiée pour applications en amplificateurs de puissance
IEC 60747-8:2000
décembre 2000
Norme internationale
Annulée
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 8: Transistors à effet de champ
Donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effet de champ: - type A : type à jonction de grille; - type B : type à grille isolée à déplétion; - type C : typeà grille isolée à enrichissement.
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