Donne des détails pour les deux catégories suivantes de transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) avec des diodes inverses : type à appauvrissement, type B (normalement à l'état passant) et type à enrichissement, type C (normalement à l'état bloqué).
La CEI 60747-8:2010 donne les normes pour les catégories suivantes de transistors à effets de champ: - type A: type à jonction de grille; - type B: type à grille isolée à déplétion (appauvrissement) (normalement à l'état passant); - type C: type à grille isolée à enrichissement (normalement à l'état bloqué). Les principaux changements par rapport à l'édition précédente sont énumérés ci-dessous. a) L'Article 3 "Classification" a été déplacé et ajouté à l'Article 1. b) L'Article 4 "Terminologie et symboles littéraux" a été divisé en Article 3 "Termes et définitions" et Article 4 "Symboles littéraux", ce dernier a été amendé avec des additions et des suppressions. c) Les Articles 5, 6 et 7 ont été amendés avec les nécessaires additions et suppressions. Cette publication doit être lue conjointement avec la CEI 60747-1:2006.
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