This test is conducted to determine the resistance of a part to extremes of high- and low-temperatures and to the effect of alternate exposures to these extremes.
Fournit une procédure d'essai pour déterminer la capacité des dispositifs à semiconducteurs et des composants et/ou des cartes équipées à résister aux contraintes mécaniques induites en alternant des extrêmes de hautes et basses tempéra-tures. Des variations permanentes des caractéristiques électriques et/ou physiques peuvent résulter de ces contraintes mécaniques. S'applique aux cycles de température en chambre unique, double et triple et englobe les essais de composants et d'interconnexions soudées.
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