NF EN 60747-5-3

NF EN 60747-5-3

October 2001
Standard Current

Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-3 : optoelectronic devices - Measuring methods

Le présent document décrit les méthodes de mesure applicables aux dispositifs optoélectroniques qui ne sont pas prévus pour être utilisés dans les systèmes ou sous-systèmes à fibres optiques.

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Main informations

Collections

National standards and national normative documents

Publication date

October 2001

Number of pages

34 p.

Reference

NF EN 60747-5-3

ICS Codes

31.260   Optoelectronics. Laser equipment

Classification index

C96-005-3

Print number

1 - novembre 2001

International kinship

IEC 60747-5-3:1997

European kinship

EN 60747-5-3:2001
Sumary
Discrete semiconductor devices and integrated circuits - Part 5-3 : optoelectronic devices - Measuring methods

Le présent document décrit les méthodes de mesure applicables aux dispositifs optoélectroniques qui ne sont pas prévus pour être utilisés dans les systèmes ou sous-systèmes à fibres optiques.
Table of contents
  • Avant-propos
    2
  • 1 Domaine d'application
    4
  • 2 Références normatives
    4
  • 3 Méthodes de mesure pour les photoémetteurs
    4
  • 3.1 Intensité lumineuse des diodes électroluminescentes (IV)
    4
  • 3.2 Intensité énergétique des diodes émettrices en infrarouge (le)
    5
  • 3.3 Longueur d'onde d'émission maximale (lambda p), largeur du spectre de rayonnement (Delta lambda) et nombre de modes longitudinaux (nm)
    7
  • 3.4 Longueur et largeur de la source d'émission et astigmatisme d'une diode laser sans fibre amorce
    9
  • 3.5 Angle à mi-intensité et angle de désalignement d'un photoémetteur
    11
  • 4 Méthodes de mesure pour les dispositifs photosensibles
    13
  • 4.1 Courant inverse sous rayonnement optique des photodiodes, y compris les dispositifs avec ou sans fibre amorce (IR(H) OU IR(e)) et courant collecteur sous rayonnement optique des phototransistors (IC(H) OU IC(e))
    13
  • 4.2 Courant d'obscurité des photodiodes IR et courants d'obscurité des phototransistors ICEO, IECO, IEBO
    15
  • 4.3 Tension de saturation collecteur-émetteur VCE(sat) de phototransistors
    16
  • 5 Méthodes de mesure pour les photocoupleurs
    17
  • 5.1 Rapport de transfert de courant (hF(ctr))
    17
  • 5.2 Capacité entrée-sortie (Cio)
    19
  • 5.3 Résistance d'isolement entre l'entrée et la sortie (rlo)
    19
  • 5.4 Essai d'isolement
    20
  • 5.5 Décharges partielles des photocoupleurs
    21
  • 5.6 Tension de saturation collecteur-émetteur VCE(sat) d'un photocoupleur
    26
  • 5.7 Temps de commutation ton, toff d'un photocoupleur
    28
  • Annexe A (informative) - Index des références croisées
    30
  • Annexe ZA (normative) - Références normatives à d'autres publications internationales avec les publications européennes correspondantes
    32
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