NF EN 60749-8
NF EN 60749-8

NF EN 60749-8

November 2003
Standard Current

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 8 : sealing

Le présent document est applicable aux dispositifs à semiconducteurs (dispositifs discrets et circuits intégrés). L'objet de cette méthode d'essais est de déterminer le taux de fuite des dispositifs à semiconducteurs.

Main informations

Collections

National standards and national normative documents

Publication date

November 2003

Number of pages

18 p.

Reference

NF EN 60749-8

ICS Codes

31.080.01   Semiconductor devices in general

Classification index

C96-022-8

Print number

1

International kinship

IEC 60749-8:2002

European kinship

EN 60749-8:2003
Sumary
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 8 : sealing

Le présent document est applicable aux dispositifs à semiconducteurs (dispositifs discrets et circuits intégrés). L'objet de cette méthode d'essais est de déterminer le taux de fuite des dispositifs à semiconducteurs.
Table of contents
  • AVANT-PROPOS
    2
  • INTRODUCTION
    4
  • 1 Domaine d'application et objet
    5
  • 2 Références normatives
    5
  • 3 Définitions générales
    5
  • 3.1 Unités de pression
    5
  • 3.2 Taux de fuite normalisé
    5
  • 3.3 Taux de fuite mesuré
    5
  • 3.4 Taux de fuite normalisé équivalent
    6
  • 4 Essai de pression à la bombe
    6
  • 5 Détection des microfuites: méthode au krypton radioactif
    6
  • 5.1 Objet
    6
  • 5.2 Description générale
    6
  • 5.3 Précautions concernant le personnel
    8
  • 5.4 Procédure d'essai
    8
  • 5.5 Conditions spécifiées
    9
  • 5.6 Détection de fuites franches
    9
  • 6 Détection des microfuites: méthode d'essai au gaz traceur (hélium) au moyen d'un spectrographe de masse
    9
  • 6.1 Généralités
    9
  • 6.2 Méthode 1: composants non remplis d'hélium pendant la fabrication - Méthode fixe
    9
  • 6.3 Méthode 2: composants non remplis d'hélium pendant la fabrication - Méthode flexible
    10
  • 6.4 Méthode 3: composants remplis d'hélium pendant la fabrication
    11
  • 6.5 Détection de fuites franches
    11
  • 7 Fuites franches, méthode de détection électronique des vapeurs de perfluorocarbone
    11
  • 7.1 Objet
    11
  • 7.2 Description générale
    11
  • 7.3 Matériel d'essai
    11
  • 7.4 Méthode d'essai
    12
  • 7.5 Critère de rejet
    12
  • 8 Fuites franches - Méthode de détection de bulles de perfluorocarbone
    13
  • 9 Condition d'essai E, détection des fuites franches par augmentation de poids
    13
  • 9.1 Objet
    13
  • 9.2 Matériel
    13
  • 9.3 Procédure
    14
  • 9.4 Critères de défaillance
    14
  • 10 Détection des fuites franches par pénétration de colorant
    15
  • 11 Vérification de l'essai de fuites franches
    15
  • Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres publications internationales avec les publications européennes correspondantes
    16
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