NF EN 62417
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
Le présent document fournit une procédure d'essai au niveau de la plaquette pour déterminer la quantité de charge positive mobile à l'intérieur des couches d'oxyde dans les transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ. Il s'applique aux deux transistors à effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des dégradations des dispositifs microélectroniques, par exemple en décalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.
Le présent document fournit une procédure d'essai au niveau de la plaquette pour déterminer la quantité de charge positive mobile à l'intérieur des couches d'oxyde dans les transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ. Il s'applique aux deux transistors à effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des dégradations des dispositifs microélectroniques, par exemple en décalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.
- Avant-propos2
- SOMMAIRE3
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1 Domaine d'application4
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2 Abréviations et symboles littéraux4
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3 Description générale4
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4 Equipement d'essai5
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5 Structures d'essai5
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6 Taille d'échantillon5
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7 Conditions5
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8 Procédure6
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8.1 Contrainte de température de polarisation6
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8.2 Balayage de tension6
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9 Critères7
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10 Comptes rendus8
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