NF EN 62417

NF EN 62417

November 2010
Standard Current

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

Le présent document fournit une procédure d'essai au niveau de la plaquette pour déterminer la quantité de charge positive mobile à l'intérieur des couches d'oxyde dans les transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ. Il s'applique aux deux transistors à effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des dégradations des dispositifs microélectroniques, par exemple en décalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.

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Main informations

Collections

National standards and national normative documents

Publication date

November 2010

Number of pages

20 p.

Reference

NF EN 62417

ICS Codes

31.080.30   Transistors

Classification index

C80-203

Print number

1

International kinship

European kinship

EN 62417:2010
Sumary
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

Le présent document fournit une procédure d'essai au niveau de la plaquette pour déterminer la quantité de charge positive mobile à l'intérieur des couches d'oxyde dans les transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ. Il s'applique aux deux transistors à effets parasites et effets actifs. La charge mobile peut causer des dégradations des dispositifs microélectroniques, par exemple en décalant la tension de seuil des MOSFETs ou par inversion de la base dans les transistors bipolaires.
Table of contents
  • Avant-propos
    2
  • SOMMAIRE
    3
  • 1 Domaine d'application
    4
  • 2 Abréviations et symboles littéraux
    4
  • 3 Description générale
    4
  • 4 Equipement d'essai
    5
  • 5 Structures d'essai
    5
  • 6 Taille d'échantillon
    5
  • 7 Conditions
    5
  • 8 Procédure
    6
  • 8.1 Contrainte de température de polarisation
    6
  • 8.2 Balayage de tension
    6
  • 9 Critères
    7
  • 10 Comptes rendus
    8
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