NF ISO 23812

NF ISO 23812

June 2009
Standard Current

Surface chemical analysis - Secondary ion mass spectrometry - Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials

Le présent document spécifie une méthode d'étalonnage de la profondeur pour le silicium, à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples. Ce mode opératoire permet l'étalonnage de l'échelle de profondeur dans une région de faible profondeur, inférieure à 50 nm, lors du profilage en profondeur SIMS. Le présent document s'applique au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe. Il ne s'applique pas au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe.

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Main informations

Collections

National standards and national normative documents

Publication date

June 2009

Number of pages

25 p.

Reference

NF ISO 23812

ICS Codes

71.040.40   Chemical analysis

Classification index

X21-066

Print number

1 - 03/06/2009

International kinship

ISO 23812:2009
Sumary
Surface chemical analysis - Secondary ion mass spectrometry - Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials

Le présent document spécifie une méthode d'étalonnage de la profondeur pour le silicium, à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples. Ce mode opératoire permet l'étalonnage de l'échelle de profondeur dans une région de faible profondeur, inférieure à 50 nm, lors du profilage en profondeur SIMS. Le présent document s'applique au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe. Il ne s'applique pas au silicium monocristallin, au silicium polycristallin et au silicium amorphe.
Table of contents
  • Avant-propos
    iv
  • Introduction
    v
  • 1 Domaine d'application
    1
  • 2 Références normatives
    1
  • 3 Termes et définitions
    1
  • 4 Symboles et termes abrégés
    1
  • 5 Exigences relatives aux matériaux de référence à couches delta multiples
    3
  • 6 Modes opératoires de mesurage
    3
  • 7 Modes opératoires d'étalonnage
    4
  • 7.1 Principe d'étalonnage
    4
  • 7.2 Détermination de la vitesse de pulvérisation pour un matériau de référence
    5
  • 7.3 Étalonnage de l'échelle de profondeur pour un échantillon pour essai
    7
  • 7.4 Incertitude de la profondeur étalonnée
    8
  • 8 Expression des résultats
    9
  • 8.1 Étalonnage dans les mêmes conditions de pulvérisation que le matériau de référence
    9
  • 8.2 Étalonnage utilisant une vitesse de pulvérisation différente de celle utilisée pour l'échantillon pour essai
    9
  • 8.3 Étalonnage de la concentration
    9
  • 9 Rapport d'essai
    9
  • Annexe A (informative) Parcours projeté de l'ion d'oxygène dans le silicium
    10
  • Annexe B (informative) Estimations des décalages de pic dus au mixage d'atomes
    11
  • Annexe C (informative) Estimations du décalage de pic dû à la coalescence du pic
    14
  • Annexe D (informative) Dérivation de l'incertitude
    17
  • Bibliographie
    19
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