IEC 60749-5:2017
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 5: Essai continu de durée de vie sous température et humidité avec polarisation
L?IEC 60749-5:2017 décrit un essai continu de durée de vie utilisant la température et l?humidité avec polarisation pour évaluer la fiabilité des dispositifs à semiconducteurs sous boîtier non hermétique dans les environnements humides. Cette méthode d?essai est considérée comme destructive.Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l?édition précédente:a) correction d?une erreur dans une équation;b) ajout de notes à des fins de recommandation;c) clarification de l?applicabilité des conditions d?essai.
L?IEC 60749-5:2017 décrit un essai continu de durée de vie utilisant la température et l?humidité avec polarisation pour évaluer la fiabilité des dispositifs à semiconducteurs sous boîtier non hermétique dans les environnements humides. Cette méthode d?essai est considérée comme destructive.
Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l?édition précédente:
a) correction d?une erreur dans une équation;
b) ajout de notes à des fins de recommandation;
c) clarification de l?applicabilité des conditions d?essai.
Décrit un essai continu de durée de vie utilisant la température et l'humidité avec polarisation pour évaluer la fiabilité des dispositifs à semiconducteurs sous boîtier non hermétique dans les environnements humides.
L?IEC 60749-5:2023 décrit un essai continu de durée de vie utilisant la température et l?humidité avec polarisation pour évaluer la fiabilité des dispositifs à semiconducteurs sous boîtier non hermétique dans les environnements humides. Cette méthode d?essai est considérée comme destructive. Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l'édition précédente: a) la spécification de l?équipement d?essai est modifiée pour exiger la nécessité de réduire le plus possible les gradients d?humidité relative et d?augmenter le plus possible la circulation d?air entre les dispositifs à semiconducteurs en essai; b) la spécification des fixations de l?équipement d?essai est modifiée pour exiger la prévention de la condensation sur les dispositifs en essai et sur les fixations électriques reliant les dispositifs à l?équipement d?essai; c) le remplacement des références au terme "jonction virtuelle" par "pastille".
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