NF EN 62276

NF EN 62276

March 2013
Standard Cancelled

Single Crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods

Le présent document s'applique à la fabrication de tranches monocristallines de quartz synthétique, de niobate de lithium (LN), de tantalate de lithium (LT), de tétraborate de lithium (LBO) et de silicate de gallium et de lanthane (LGS) destinées à être utilisées comme substrats dans la fabrication de résonateurs et de filtres à ondes acoustiques de surface (OAS).

Main informations

Collections

National standards and national normative documents

Publication date

March 2013

Number of pages

45 p.

Reference

NF EN 62276

ICS Codes

31.140   Piezoelectric devices

Classification index

C93-616

Print number

1 - mars 2013

International kinship

IEC 62276:2012

European kinship

EN 62276:2013
Sumary
Single Crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods

Le présent document s'applique à la fabrication de tranches monocristallines de quartz synthétique, de niobate de lithium (LN), de tantalate de lithium (LT), de tétraborate de lithium (LBO) et de silicate de gallium et de lanthane (LGS) destinées à être utilisées comme substrats dans la fabrication de résonateurs et de filtres à ondes acoustiques de surface (OAS).
Replaced standards (1)
NF EN 62276
February 2006
Standard Cancelled
Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods

Le présent document concerne la fabrication des tranches monocristallines de quartz synthétiques, lithium niobate (LN) lithium tantale (LT) tétraborate de lithium (LBO) et silicate de gallium de lautane destinées à être utilisées comme substrat dans la fabrication des filtres et résonateurs à ondes acoustiques de surface.

Standard replaced by (1)
NF EN 62276
June 2018
Standard Current
Single crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods

Table of contents
  • AVANT-PROPOS
    2
  • INTRODUCTION
    5
  • 1 Domaine d'application
    6
  • 2 Références normatives
    6
  • 3 Termes et définitions
    6
  • 3.1 Monocristaux pour tranche OAS
    6
  • 3.2 Termes et définitions liés aux cristaux de LN et LT
    7
  • 3.3 Termes et définitions liés à tous les cristaux
    7
  • 3.4 Planéité
    8
  • 3.5 Définitions des défauts d'aspect
    11
  • 3.6 Autres termes et définitions
    12
  • 4 Exigences
    13
  • 4.1 Spécifications des matériaux
    13
  • 4.2 Spécifications des tranches
    13
  • 5 Plan d'échantillonnage
    17
  • 5.1 Échantillonnage
    17
  • 5.2 Fréquence d'échantillonnage
    17
  • 5.3 Inspection de toute la population
    17
  • 6 Méthodes d'essai
    18
  • 6.1 Diamètre
    18
  • 6.2 Épaisseur
    18
  • 6.3 Dimension de l'OF
    18
  • 6.4 Orientation de l'OF
    18
  • 6.5 TV5
    18
  • 6.6 Gauchissement
    18
  • 6.7 TTV
    18
  • 6.8 Défauts de la surface avant
    18
  • 6.9 Inclusions
    18
  • 6.10 Rugosité de la surface arrière
    18
  • 6.11 Orientation
    19
  • 6.12 Température de Curie
    19
  • 6.13 Constante du réseau cristallin
    19
  • 6.14 Résistivité volumique
    19
  • 7 Identification, étiquetage, emballage, conditions de livraison
    19
  • 7.1 Emballage
    19
  • 7.2 Étiquetage et identification
    19
  • 7.3 Conditions de livraison
    19
  • 8 Mesure de la température de Curie
    19
  • 8.1 Généralités
    19
  • 8.2 Méthode DTA
    20
  • 8.3 Méthode de la constante diélectrique
    20
  • 9 Mesure de la constante du réseau cristallin (méthode Bond)
    21
  • 10 Mesure de l'angle de face aux rayons X
    22
  • 10.1 Principe de mesure
    22
  • 10.2 Méthode de mesure
    23
  • 10.3 Mesure de l'orientation de la surface d'une tranche
    24
  • 10.4 Mesure de l'orientation de l'OF
    24
  • 10.5 Plans de référence et orientations de tranches typiques
    24
  • 11 Mesure de la résistivité volumique
    24
  • 11.1 Mesure de la résistance d'une tranche
    24
  • 11.2 Électrode
    25
  • 11.3 Résistivité volumique
    26
  • 12 Examens visuels
    26
  • 12.1 Méthode d'inspection de la surface avant
    26
  • Annexe A (normative) Expression utilisant la description de l'angle d'Euler pour les monocristaux piézoélectriques
    28
  • Annexe B (informative) Processus de fabrication pour tranches OAS
    32
  • Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres publications internationales avec les publications européennes correspondantes
    39
  • Bibliographie
    40
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