NF EN 62276
Single Crystal wafers for surface acoustic wave (SAW) device applications - Specifications and measuring methods
Le présent document s'applique à la fabrication de tranches monocristallines de quartz synthétique, de niobate de lithium (LN), de tantalate de lithium (LT), de tétraborate de lithium (LBO) et de silicate de gallium et de lanthane (LGS) destinées à être utilisées comme substrats dans la fabrication de résonateurs et de filtres à ondes acoustiques de surface (OAS).
Le présent document s'applique à la fabrication de tranches monocristallines de quartz synthétique, de niobate de lithium (LN), de tantalate de lithium (LT), de tétraborate de lithium (LBO) et de silicate de gallium et de lanthane (LGS) destinées à être utilisées comme substrats dans la fabrication de résonateurs et de filtres à ondes acoustiques de surface (OAS).
Le présent document concerne la fabrication des tranches monocristallines de quartz synthétiques, lithium niobate (LN) lithium tantale (LT) tétraborate de lithium (LBO) et silicate de gallium de lautane destinées à être utilisées comme substrat dans la fabrication des filtres et résonateurs à ondes acoustiques de surface.
- AVANT-PROPOS2
- INTRODUCTION5
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1 Domaine d'application6
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2 Références normatives6
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3 Termes et définitions6
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3.1 Monocristaux pour tranche OAS6
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3.2 Termes et définitions liés aux cristaux de LN et LT7
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3.3 Termes et définitions liés à tous les cristaux7
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3.4 Planéité8
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3.5 Définitions des défauts d'aspect11
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3.6 Autres termes et définitions12
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4 Exigences13
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4.1 Spécifications des matériaux13
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4.2 Spécifications des tranches13
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5 Plan d'échantillonnage17
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5.1 Échantillonnage17
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5.2 Fréquence d'échantillonnage17
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5.3 Inspection de toute la population17
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6 Méthodes d'essai18
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6.1 Diamètre18
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6.2 Épaisseur18
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6.3 Dimension de l'OF18
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6.4 Orientation de l'OF18
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6.5 TV518
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6.6 Gauchissement18
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6.7 TTV18
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6.8 Défauts de la surface avant18
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6.9 Inclusions18
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6.10 Rugosité de la surface arrière18
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6.11 Orientation19
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6.12 Température de Curie19
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6.13 Constante du réseau cristallin19
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6.14 Résistivité volumique19
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7 Identification, étiquetage, emballage, conditions de livraison19
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7.1 Emballage19
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7.2 Étiquetage et identification19
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7.3 Conditions de livraison19
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8 Mesure de la température de Curie19
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8.1 Généralités19
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8.2 Méthode DTA20
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8.3 Méthode de la constante diélectrique20
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9 Mesure de la constante du réseau cristallin (méthode Bond)21
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10 Mesure de l'angle de face aux rayons X22
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10.1 Principe de mesure22
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10.2 Méthode de mesure23
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10.3 Mesure de l'orientation de la surface d'une tranche24
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10.4 Mesure de l'orientation de l'OF24
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10.5 Plans de référence et orientations de tranches typiques24
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11 Mesure de la résistivité volumique24
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11.1 Mesure de la résistance d'une tranche24
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11.2 Électrode25
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11.3 Résistivité volumique26
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12 Examens visuels26
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12.1 Méthode d'inspection de la surface avant26
- Annexe A (normative) Expression utilisant la description de l'angle d'Euler pour les monocristaux piézoélectriques28
- Annexe B (informative) Processus de fabrication pour tranches OAS32
- Annexe ZA (normative) Références normatives à d'autres publications internationales avec les publications européennes correspondantes39
- Bibliographie40
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